삼성전자가 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM)의 6세대 제품 HBM4 양산 출하를 세계 최초로 시작하며 차세대 시장 선점에 나섰다. 이전 세대 경쟁에서 다소 뒤처졌던 삼성전자는 이번 HBM4를 업계 최고 성능으로 구현했다. 원래 설 연휴 직후 예정되었던 출하 일정을 고객사와의 협의를 통해 1주일가량 앞당겼다.
이번 HBM4는 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준을 뛰어넘는 성능을 목표로 개발되었으며, 최선단 1c D램과 파운드리 4나노 공정을 선제적으로 적용했다. 삼성전자 메모리개발담당 황상준 부사장은 이러한 공정 경쟁력과 설계 개선으로 성능 확장 여력을 충분히 확보했다고 강조했다.
그 결과 HBM4는 JEDEC 표준 8Gbps를 약 46% 웃도는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했으며, 최대 13Gbps까지 구현 가능하다. 이는 HBM3E 대비 약 1.22배 향상된 수치다. 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭은 3.3TB/s로, 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회한다. 또한 12단 적층 기술로 24~36GB 용량을 제공하며, 향후 16단 적층을 통해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.
전력 소모와 발열 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용하여 에너지 효율을 약 40% 개선하고, 열 저항 및 방열 특성도 향상시켰다. 삼성전자는 로직, 메모리, 파운드리, 패키징을 아우르는 원스톱 솔루션을 바탕으로 HBM 매출이 전년 대비 3배 이상 증가할 것으로 기대하며, 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산 거점으로 활용해 공급 역량을 강화할 예정이다. 올해 하반기에는 7세대 HBM4E 샘플을, 내년에는 커스텀 HBM 샘플을 순차적으로 출하하며 차세대 라인업을 가동할 방침이다.